РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTB13N10G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 128491

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 64.7W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 6.5A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D2PAK 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK - N-Channel 100V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK

Транзисторы полевые NTB13N10G

Datasheet NTB13N10G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
NTB13N10G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.