| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2142pF @ 12V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I-Pak |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK - N-Channel 30V 11.3A (Ta), 79A (Tc) Through Hole I-Pak
Транзисторы полевые NTD4806NA-1G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.