РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTDV18N06LT4G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 133502

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V 
Vgs (Max) ±15V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 55W (Tj) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 9A, 5V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package DPAK 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK - N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK

Транзисторы полевые NTDV18N06LT4G

Datasheet NTDV18N06LT4G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
NTDV18N06LT4G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.