РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTGD4169FT1G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 129867

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±12V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V 
FET Feature Schottky Diode (Isolated) 
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V 
Operating Temperature -25°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-TSOP 
Package / Case SOT-23-6 

Описание

MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP - N-Channel 30V 2.6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Транзисторы полевые NTGD4169FT1G

Datasheet NTGD4169FT1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
NTGD4169FT1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.