Manufacturer | ON Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1072pF @ 6V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 6.4A, 4.5V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | ChipFET™ |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET - P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Транзисторы полевые NTHD2110TT1G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.