РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTHD2110TT1G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 130371

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1072pF @ 6V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 6.4A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package ChipFET™ 
Package / Case 8-SMD, Flat Lead 

Описание

MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET - P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™

Транзисторы полевые NTHD2110TT1G

Datasheet NTHD2110TT1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Цена доступна по запросу
NTHD2110TT1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.