РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTHS2101PT1G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 131315

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Tj) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 6.4V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V 
Operating Temperature 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package ChipFET™ 
Package / Case 8-SMD, Flat Lead 

Описание

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET - P-Channel 8V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™

Транзисторы полевые NTHS2101PT1G

Datasheet NTHS2101PT1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
NTHS2101PT1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.