| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 6.4V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET - P-Channel 8V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Транзисторы полевые NTHS2101PT1G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.