РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTJS4160NT1G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 131318

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.75nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 300mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 2.6A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363 
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 

Описание

MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 - N-Channel 30V 1.8A (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Транзисторы полевые NTJS4160NT1G

Datasheet NTJS4160NT1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
NTJS4160NT1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.