РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTMFS4C09NT1G-001

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 135411

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 52A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1252pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 760mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 30A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 
Package / Case 8-PowerTDFN 

Описание

MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL - N-Channel 30V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Транзисторы полевые NTMFS4C09NT1G-001

Datasheet NTMFS4C09NT1G-001 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
NTMFS4C09NT1G-001
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.