РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTMFS5830NLT1G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 133289

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta), 172A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5880pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 125W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 20A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads 

Описание

MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL - N-Channel 40V 28A (Ta), 172A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Транзисторы полевые NTMFS5830NLT1G

Datasheet NTMFS5830NLT1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
NTMFS5830NLT1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.