РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTMKB4895NT1G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 132017

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 66A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1644pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 15A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8) 
Package / Case 4-ICEPAK 

Описание

MOSFET N-CH 30V 15A ICEPAK - N-Channel 30V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Транзисторы полевые NTMKB4895NT1G

Datasheet NTMKB4895NT1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.