Manufacturer | ON Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1720pF @ 24V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 810mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9.6A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC - P-Channel 30V 5.5A (Ta) 810mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Транзисторы полевые NTMS4176PR2G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.