РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTMSD2P102R2SG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 128669

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta) 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 16V 
FET Feature Schottky Diode (Isolated) 
Power Dissipation (Max) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V 
Operating Temperature 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SOIC 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC - P-Channel 20V 2.3A (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Транзисторы полевые NTMSD2P102R2SG

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Цена доступна по запросу
NTMSD2P102R2SG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.