РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTMSD6N303R2SG

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 128671

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series FETKY™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V 
FET Feature Schottky Diode (Isolated) 
Power Dissipation (Max) 2W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6A, 10V 
Operating Temperature 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SOIC 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC - N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Транзисторы полевые NTMSD6N303R2SG

Datasheet NTMSD6N303R2SG (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
NTMSD6N303R2SG
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.