Manufacturer | ON Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 820mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 - N-Channel 20V 820mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Транзисторы полевые NTR3161NT1G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.