РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NTS2101PT1

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 128688

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 8V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 290mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SC-70-3 (SOT323) 
Package / Case SC-70, SOT-323 

Описание

MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 - P-Channel 8V 1.4A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

Транзисторы полевые NTS2101PT1

Datasheet NTS2101PT1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
NTS2101PT1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.