Manufacturer | ON Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 19W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7.5A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN - N-Channel 60V 8A (Ta) 3.1W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Транзисторы полевые NTTFS5826NLTWG
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.