РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NVB5405NT4G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 133511

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.5A (Ta), 116A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 32V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 150W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 40A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D2PAK 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK - N-Channel 40V 16.5A (Ta), 116A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D2PAK

Транзисторы полевые NVB5405NT4G

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Цена доступна по запросу
NVB5405NT4G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.