РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NVD20N03L27T4G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 135105

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.75W (Ta), 74W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 10A, 5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package DPAK 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK - N-Channel 30V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount DPAK

Транзисторы полевые NVD20N03L27T4G

Datasheet NVD20N03L27T4G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
NVD20N03L27T4G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.