РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NVD4815NT4G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 133984

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Ta), 35A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 12V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 30A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package DPAK 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4 - N-Channel 30V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount DPAK

Транзисторы полевые NVD4815NT4G

Datasheet NVD4815NT4G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
NVD4815NT4G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.