РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NVD5413NT4G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 133513

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1725pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 68W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 20A, 10V 
Operating Temperature 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package DPAK 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK - N-Channel 60V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount DPAK

Транзисторы полевые NVD5413NT4G

Datasheet NVD5413NT4G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
NVD5413NT4G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.