РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NVF2955PT1G

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 133515

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 492pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 2.4A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SOT-223 
Package / Case TO-261-4, TO-261AA 

Описание

MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 - P-Channel 60V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Транзисторы полевые NVF2955PT1G

Datasheet NVF2955PT1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
NVF2955PT1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.