Manufacturer | ON Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 492pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 2.4A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 - P-Channel 60V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Транзисторы полевые NVF2955PT1G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.