РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

NX3020NAKT,115

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 134766

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.44nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 230mW (Ta), 1.06W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 100mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SC-75 
Package / Case SC-75, SOT-416 

Описание

MOSFET N-CH 30V 180MA SC-75 - N-Channel 30V 180mA (Ta) 230mW (Ta), 1.06W (Tc) Surface Mount SC-75

Транзисторы полевые NX3020NAKT,115

Datasheet NX3020NAKT,115 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
NX3020NAKT,115
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.