РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PH8030L,115

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136568

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76.7A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 12V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 25A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8 
Package / Case SC-100, SOT-669 

Описание

MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK - N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Транзисторы полевые PH8030L,115

Datasheet PH8030L,115 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
PH8030L,115
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.