Manufacturer | NXP USA Inc. |
Series | TrenchMOS™ |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1704pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 10A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK - N-Channel 100V 23A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D2PAK
Транзисторы полевые PHB23NQ10LT,118
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.