РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PHB55N03LTA,118

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136574

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 85W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 25A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D2PAK 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK - N-Channel 25V 55A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK

Транзисторы полевые PHB55N03LTA,118

Datasheet PHB55N03LTA,118 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
PHB55N03LTA,118
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.