РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PHK12NQ10T,518

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136483

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.6A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1965pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 8.9W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SO 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1 - N-Channel 100V 11.6A (Tc) 8.9W (Tc) Surface Mount 8-SO

Транзисторы полевые PHK12NQ10T,518

Datasheet PHK12NQ10T,518 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
PHK12NQ10T,518
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.