Manufacturer | NXP USA Inc. |
Series | TrenchMOS™ |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2985pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 6.25W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 14A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-SOIC - N-Channel 40V 21.2A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
Транзисторы полевые PHK24NQ04LT,518
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.