РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PHM18NQ15T,518

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136488

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.4nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 12A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-HVSON (6x5) 
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad 

Описание

MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1 - N-Channel 150V 19A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5)

Транзисторы полевые PHM18NQ15T,518

Datasheet PHM18NQ15T,518 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
PHM18NQ15T,518
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.