Manufacturer | NXP USA Inc. |
Series | TrenchMOS™ |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±13V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 5A, 5V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223 - N-Channel 55V 4.9A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Транзисторы полевые PHT11N06LT,135
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.