РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PHU101NQ03LT,127

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136518

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 166W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 25A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package I-Pak 
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 

Описание

MOSFET N-CH 30V 75A SOT533 - N-Channel 30V 75A (Tc) 166W (Tc) Through Hole I-Pak

Транзисторы полевые PHU101NQ03LT,127

Datasheet PHU101NQ03LT,127 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Цена доступна по запросу
PHU101NQ03LT,127
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.