Макс.напр.к-э,В | 600 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.7 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
Входная емкость затвора,нФ | - |
Мощность привода, кВт | 11 |
Драйвер управления | встроенный |
Защита по току | есть |
Защита от короткого замыкания | есть |
Защита от перегрева | есть |
Защита от пониженного напряжения питания | есть |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 328 |
Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | - |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | - |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1200 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Температурный диапазон,С | -20...150 |
PM100RSD060, 7 IGBT 600V 100А 4-gen (S-Dash-Series) - IGBT модули
IGBT модули PM100RSD060, 7 IGBT 600V 100А 4-gen (S-Dash-Series)
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 18 124.80 р. |
4 | 15 745.92 р. |
40 | 13 698.37 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.