| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.4 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | - |
| Мощность привода, кВт | 30 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от перегрева | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 781 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | - |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | - |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Температурный диапазон,С | -20...150 |
PM150RSD120, 7 IGBT 1200V 150A 4-gen (S-Dash-Series) - IGBT модули
IGBT модули PM150RSD120, 7 IGBT 1200V 150A 4-gen (S-Dash-Series)
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 46 633.60 р. |
| 3 | 40 403.20 р. |
| 30 | 35 134.66 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.