| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.4 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | - |
| Мощность привода, кВт | 7.5 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от перегрева | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 328 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | - |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | - |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Температурный диапазон,С | -20...150 |
PM50RSD120, 7 IGBT 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series) - IGBT модули
IGBT модули PM50RSD120, 7 IGBT 1200V 50A 4-gen (S-Dash-Series)
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 15 311.68 р. |
| 4 | 14 216.64 р. |
| 40 | 12 649.18 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.