| Manufacturer | NXP USA Inc. |
| Series | TrenchMOS™ |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.85nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 560mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-323-3 |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 - N-Channel 60V 260mA (Ta) 560mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3
Транзисторы полевые PMF3800SN,115
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.