РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PMF3800SN,115

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 134948

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 260mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.85nC @ 10V 
Vgs (Max) ±15V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 560mW (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 500mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SOT-323-3 
Package / Case SC-70, SOT-323 

Описание

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 - N-Channel 60V 260mA (Ta) 560mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3

Транзисторы полевые PMF3800SN,115

Datasheet PMF3800SN,115 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
PMF3800SN,115
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.