Manufacturer | NXP USA Inc. |
Series | TrenchMOS™ |
Packaging | Digi-Reel® |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.85nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 560mW (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-323-3 |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 - N-Channel 60V 260mA (Ta) 560mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3
Транзисторы полевые PMF3800SN,115
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.