| Manufacturer | NXP USA Inc. |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 375mW (Ta), 4.35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
MOSFET N-CH 20V 3A SOT363 - N-Channel 20V 3A (Ta) 375mW (Ta), 4.35W (Tc) Surface Mount 6-TSSOP
Транзисторы полевые PMG45UN,115
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.