РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PMN25UN,115

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 134713

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 530mW (Ta), 6.25W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-TSOP 
Package / Case SC-74, SOT-457 

Описание

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP - N-Channel 20V 6A (Ta) 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Транзисторы полевые PMN25UN,115

Datasheet PMN25UN,115 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
PMN25UN,115
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.