РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PMN38EN,165

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136621

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 495pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.75W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 3A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-TSOP 
Package / Case SC-74, SOT-457 

Описание

MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP - N-Channel 30V 5.4A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Транзисторы полевые PMN38EN,165

Datasheet PMN38EN,165 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
PMN38EN,165
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.