РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PMN50UPE,115

Производитель: Nexperia USA Inc.
Арт: 134804

Техническая спецификация

Manufacturer Nexperia USA Inc. 
Series 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.7nC @ 10V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 510mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66 mOhm @ 3.6A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-TSOP 
Package / Case SC-74, SOT-457 

Описание

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP - P-Channel 20V 3.6A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Транзисторы полевые PMN50UPE,115

Datasheet PMN50UPE,115 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
PMN50UPE,115
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.