РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PMN50XP,165

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136601

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series TrenchMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±12V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.2W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 2.8A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-TSOP 
Package / Case SC-74, SOT-457 

Описание

MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP - P-Channel 20V 4.8A (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Транзисторы полевые PMN50XP,165

Datasheet PMN50XP,165 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
PMN50XP,165
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.