| Manufacturer | NXP USA Inc. |
| Series | TrenchMOS™ |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 550mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.05nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 30V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 530mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920 mOhm @ 300mA, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416 - N-Channel 60V 550mA (Ta) 530mW (Tc) Surface Mount SC-75
Транзисторы полевые PMR780SN,115
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.