РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PMV130ENEA/DG/B2R

Производитель: Nexperia USA Inc.
Арт: 136209

Техническая спецификация

Manufacturer Nexperia USA Inc. 
Series Automotive, AEC-Q101 
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 5W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 1.5A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-236AB 
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 

Описание

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB - N-Channel 40V 2.1A (Ta) 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Транзисторы полевые PMV130ENEA/DG/B2R

Datasheet PMV130ENEA/DG/B2R (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.