Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | - |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
Структура модуля | 3-фазный мост |
Тип силового модуля | Интеллектуальный DIP модуль |
Максимальная частота модуляции,кГц | - |
Входная емкость затвора,нФ | - |
Мощность привода, кВт | - |
Драйвер управления | встроенный |
Защита по току | - |
Защита от короткого замыкания | есть |
Защита от перегрева | - |
Защита от пониженного напряжения питания | есть |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | - |
Максимальный ток эмиттера, А | - |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | - |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | - |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | - |
Напряжение изоляции, В | 5000 |
Температурный диапазон,С | - |
PS22A76, DIP-IPM ver4. 1200В 25А - IGBT модули
IGBT модули PS22A76, DIP-IPM ver4. 1200В 25А
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 5 739.52 р. |
7 | 5 248.64 р. |
70 | 4 573.23 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.