РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

PSMN013-100XS,127

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136646

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35.2A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57.5nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3195pF @ 50V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 48.4W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9 mOhm @ 10A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220F 
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 

Описание

MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F - N-Channel 100V 35.2A (Tc) 48.4W (Tc) Through Hole TO-220F

Транзисторы полевые PSMN013-100XS,127

Datasheet PSMN013-100XS,127 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
PSMN013-100XS,127
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.