Manufacturer | NXP USA Inc. |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 848pF @ 15V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 15A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Package / Case | SC-100, SOT-669 |
MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK - N-Channel 30V 54A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Транзисторы полевые PSMN8R0-30YLC,115
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.