РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RGT00TS65DGC11

Производитель: Rohm Semiconductor
Арт: 79789
491.64 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Rohm Semiconductor 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 85A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A 
Power - Max 277W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 94nC 
Td (on/off) @ 25°C 42ns/137ns 
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 54ns 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247N 

Описание

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT - IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N

IGBT транзисторы RGT00TS65DGC11

Datasheet RGT00TS65DGC11 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 450 шт.
Мин. кол-воЦена
491.64 р. 
10 438.60 р. 
25 394.74 р. 
100 359.65 р. 
250 324.56 р. 
500 291.23 р. 
1,000 245.62 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.