| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Power - Max | 65W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 13.5nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | LPDS (TO-263S) |
IGBT 650V 8A 65W TO-263S - IGBT Trench Field Stop 650V 8A 65W Surface Mount LPDS (TO-263S)
IGBT транзисторы RGT8NS65DGTL
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 137.70 р. |
| 10 | 121.79 р. |
| 25 | 109.96 р. |
| 100 | 96.22 р. |
| 250 | 84.44 р. |
| 500 | 74.62 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.