РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RGTH00TS65DGC11

Производитель: Rohm Semiconductor
Арт: 80889
519.18 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Rohm Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 85A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A 
Power - Max 277W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 94nC 
Td (on/off) @ 25°C 39ns/143ns 
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 54ns 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247N 

Описание

IGBT 650V 85A 277W TO-247N - IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N

IGBT транзисторы RGTH00TS65DGC11

Datasheet RGTH00TS65DGC11 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 21 шт.
Мин. кол-воЦена
519.18 р. 
10 463.18 р. 
25 416.89 р. 
100 379.83 р. 
250 342.77 р. 
500 307.57 р. 
1,000 259.40 р. 
RGTH00TS65DGC11
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.