РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RGTH00TS65GC11

Производитель: Rohm Semiconductor
Арт: 79750
423.30 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Rohm Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 85A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A 
Power - Max 277W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 94nC 
Td (on/off) @ 25°C 39ns/143ns 
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247N 

Описание

IGBT 650V 85A 277W TO-247N - IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N

IGBT транзисторы RGTH00TS65GC11

Datasheet RGTH00TS65GC11 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 303 шт.
Мин. кол-воЦена
423.30 р. 
10 377.50 р. 
25 339.78 р. 
100 309.57 р. 
250 279.37 р. 
500 250.68 р. 
1,000 211.42 р. 
2,500 201.35 р. 
RGTH00TS65GC11
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.